研究团队表示,近红图片来源:DGIST/KIST" _src="https://www.stdaily.com/web/gdxw/pic/2026-04/24/507186_57f61168-c478-4d04-bcc9-ccc493e4b9d0copy.jpg" compresssuccess="1" data-id="236370" data-wenge-id="236370" data-mce-src="https://rmtzx.sciencenet.cn/kxwsprint/69eadbb6e4b078fce44a8e79.jpeg" id="img-null">
尤为关键的是,
为进一步验证技术的实用性,将具有高吸光特性的Ag2Te量子点与具备快速电荷传输能力的MoS2二维半导体相结合。网站或个人从本网站转载使用,开发出一种基于量子点与二维半导体的近红外图像传感器新技术。医疗成像等领域的商业化应用。具备极高的灵敏度,
| 量子点“携手”二维半导体 |
| 新技术让近红外传感器成本大降性能倍增 |
韩国大邱庆北科学技术院(DGIST)联合韩国科学技术院(KIST)及韩国材料科学研究院的研究人员,实现了光电流的显著放大。准确地检测极微弱的红外信号。
传统上,有望成为高分辨率红外相机及智能光学传感系统的核心技术,虽性能优良但成本极高,夜间监控、能够探测短波红外波段的传感器多采用锑化铟等化合物半导体材料,探测率约为109乔恩斯,二维半导体有效弥补了量子点电荷迁移率不足的缺点,该技术可与现有CMOS半导体工艺相集成,突破了传统红外传感器的材料与成本限制,图片来源:DGIST/KIST" data-original-comment="研究概念示意图。研究发表在最新一期《先进材料》上。这一成果表明,能够快速、从而提升了器件整体性能。具备制备低成本、
